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(d-f)并联器件的CV曲线，蜘蛛GCD曲线和奈奎斯特图。论文链接TailoringTi3CNTx MXeneviaanAcidMolecularScissor,NanoEnergy,2021，有严泄85:106007.https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2021.106007本文由作者投稿。
部曲(f)由GCD曲线得到的比电容。赫兰 (a)多活性位点的Ti3CNTxMXene的赝电容反应的过程。德口图4.Ti3CNTx微型超级电容器的制备工艺示意图及其电化学性能。
成果介绍近日西南交通大学杨维清教授团队提出一种分子剪刀的方法对Ti3CNTx MXenes进行精准地裁剪得到多缺陷的MXene，天机并且将其应用在微型超级电容器上，天机表现出可观的电化学性能。新版侠(g)所有Ti3CNTx电极的奈奎斯特图。
目前，蜘蛛对MXenes进行修饰的方法越来越多，缺陷工程已广泛应用于控制二维材料的电、磁、电化学和光电性能。
(d)随着裁剪程度的增加，有严泄缺陷密度增加。该膜具有出色的耐久性，部曲超柔韧性，防腐性能和耐低温性能。
由于聚（芳基醚砜）的高分子量，赫兰该膜表现出良好的物理性能。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，德口投稿邮箱:[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaorenVIP。
此外，天机研究人员展示了在金属箔上分层石墨烯合成的批量生产方法，证明了其技术可扩展性。新版侠2016年当选为美国国家工程院外籍院士。
